CW1011 集成MOSFET单节保护IC

CW1011是一款集成 MOSFET单节保护IC,支持过充、过放、过流以及过温保护。


功能特性

• 过充电检测功能

      • 阈值范围4.180V~4.550V,±15mV精度

• 过放电检测功能

      • 阈值范围2.100V~3.000V,±40mV精度

• 内置低侧54mΩ充放电MOS

• 高精度充放电过电流检测

• 过电流保护

      • 放电过流检测1阈值范围,

            • 0.2~0.4A,精度±25%

            • 0.4~1.0A,精度±15%

• 放电过流检测2阈值范围,

            • 0.4~2.0A,精度±15%

• 负载短路检测阈值范围,

            • 0.8~4.0A,精度±15%

• 充电过流检测阈值范围,

            • -2.0~-0.4A,精度±15%

            • -0.4~-0.2A,精度±25%

• 内置所有保护功能延时

• 低功耗设计

      • 工作状态 2.5μA (25°C)

      • 低功耗状态 20nA (25°C)

• 封装形式:DFN-6 1.5mmx2mm


应用领域

• TWS耳机

• 智能手表手环

• 移动穿戴设备

• 其他单节锂离子及锂聚合物电池包


典型应用电路

CW1011 集成MOSFET单节保护IC




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